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小间距LED显示屏产品相较于常规的户外显示产品而言，除了技术工艺要求高，在运输安装应用等各个环节都要高出许多。特别是价格方面，更非常规产品可以比拟，如此一来，小间距产品就更显得“金贵”了。作为LED显示屏核心的LED芯片，在小间距LED发展过程中起到了至关重要的作用。小间距LED显示屏目前的成就和未来的发展，都依赖于芯片端的不懈努力。今天带大家来了解一下小间距led显示屏的芯片端解决方案：
1、led显示屏尺寸缩小芯片尺寸缩小.
表面上看，就是版图设计的问题，似乎只要根据需要设计更小的版图就能解决。但是，芯片尺寸的缩小是否能无限的进行下去呢？答案是否定的。有如下几个原因制约着芯片尺寸缩小的程度：
（1）led显示屏封装加工的限制。封装加工过程中，两个因素限制了芯片尺寸的缩小。一是吸嘴的限制。固晶需要吸取芯片，芯片短边尺寸必须大于吸嘴内径。目前有性价比的吸嘴内径为80um左右。二是焊线的限制。首先是焊线盘即芯片电极必须足够大，否则焊线可靠性不能保证，业内报道最小电极直径45um。；其次是电极之间的间距必须足够大，否则两次焊线间必然会相互干扰。
（2）led显示屏芯片加工的限制。芯片加工过程中，也有两方面的限制。其一是版图布局的限制。除了上述封装端的限制，电极大小，电极间距有要求外，电极与MESA距离、划道宽度、不同层的边界线间距等都有其限制，芯片的电流特性、SD工艺能力、光刻的加工能力决定了具体限制的范围。通常，P电极到芯片边缘的最小距离会限定在14μm以上。
其二是led显示屏划裂加工能力的限制。SD划片+机械裂片工艺都有极限，芯片尺寸过小可能无法裂片。当晶圆片直径从2英寸增加到4英寸、或未来增加到6英寸时，划片裂片的难度是随之增加的，也就是说，可加工的芯片尺寸将随之增大。以4寸片为例，如果芯片短边长度小于90μm，长宽比大于1.5:1的，良率的损失将显著增加。
基于上述原因，笔者大胆预测，芯片尺寸缩小到17mil2后，芯片设计和工艺加工能力接近极限，基本再无缩小空间，除非芯片技术方案有大的突破。
2、led显示屏亮度提升
亮度提升是芯片端永恒的主题。led显示屏芯片厂通过外延程式优化提升内量子效应，通过led显示屏芯片结构调整提升外量子效应。
不过，一方面led显示屏芯片尺寸缩小必然导致发光区面积缩小，芯片亮度下降。另一方面，小间距led显示屏的点间距缩小，对单芯片亮度需求有下降。两者之间是存在互补的关系，但要留有底线。目前芯片端为了降低成本，主要是在结构上做减法，这通常要付出亮度降低的代价，因此，如何权衡取舍是业者要注意的问题。
3、led显示屏芯片小电流下的一致性
所谓的小电流，是相对常规室内led显示屏、户外led显示屏芯片试用的电流来说的。如下图所示的芯片I-V曲线，常规户内led显示屏、户外led显示屏芯片工作于线性工作区，电流较大。而小间距led显示屏芯片需要工作于靠近0点的非线性工作区，电流偏小。
在非线性工作区，led显示屏芯片受半导体开关阈值影响，芯片间的差异更明显。对大批量芯片进行亮度和波长的离散性的分析，容易看到非线性工作区的离散性远大于线性工作区。这是目前芯片端的固有挑战。
应对这个问题的办法首先是外延方向的优化，以降低线性工作区下限为主；其次是芯片分光上的优化，将不同特性芯片区分开来。
4、led显示屏芯片寄生电容一致性
目前芯片端没有条件直接测量芯片的电容特性。电容特性与常规测量项目之间的关系尚不明朗，有待业者去总结。芯片端优化的方向一是外延上调整，一是电性分档上的细化，但成本很高，不推荐。
5、led显示屏芯片可靠性
芯片端可靠性可以用芯片封装和老化过程中的各项参数来描述。但总的说来，芯片上led显示屏以后的可靠性的影响因素，重点在ESD和IR两项。
ESD是指抗静电能力。据IC行业报道，50%以上芯片的失效与ESD有关。要提高芯片可靠性，必须提升ESD能力。但是，在相同外延片，相同芯片结构的条件下，芯片尺寸变小必然带来ESD能力的削弱。这是与电流密度和芯片电容特性直接相关的，无法抗拒。
IR是指反向漏电，通常是在固定反向电压下测量芯片的反向电流值。IR反映的是芯片内部缺陷的数量。IR值越大，则说明芯片内部缺陷越多。
要提升ESD能力和IR表现，必须在外延结构和芯片结构方面做出更多优化。在芯片分档时，通过严格的分档标准，可以有效的把ESD能力和IR表现较弱的芯片剔除掉，从而提升芯片上屏后的可靠性。
总的来说，小间距LED显示屏的发展，对芯片段提出的需求是：尺寸缩小，相对亮度提升，小电流下亮度一致性好，寄生电容一致性好，可靠性高。